型号 | EPC1013 |
厂商 | EPC |
描述 | TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE |
EPC1013 PDF | |
代理商 | EPC1013 |
应用说明 | Thermal Performance of eGaN® FETs Assembling eGaN® FETS Using eGaN® FETs |
产品培训模块 | eGaN™ Basics eGaN™ Power Transistors Characteristics Drivng eGaN™ Power Transistors eGaN FETs for DC-DC Conversion |
产品变化通告 | EPC1xxx Series Obsolescence 09/Sept/2011 |
RoHS指令信息 | Lead Free/RoHS Statement |
标准包装 | 1 |
系列 | eGaN® |
FET 型 | GaNFET N 通道,氮化镓 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 150V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 100 毫欧 @ 5A,5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.5V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 1.7nC @ 5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 110pF @ 75V |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 4-LGA |
供应商设备封装 | 4-LGA(1.7x0.9) |
包装 | 剪切带 (CT) |
产品目录页面 | 1599 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | 917-1007-1 |